一般セッション(口頭講演)

9 応用物性 » 9.1 誘電材料・誘電体

[26a-E307-1~9] 9.1 誘電材料・誘電体

2022年3月26日(土) 09:00 〜 11:30 E307 (E307)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

▲ [26a-E307-1] Basic Mechanism and Potential Application of Ferroelectric Quantum Phase Transition: The Representative Case of SrTiO₃

〇(P)Dongxiao Fan¹、Shunsuke Nozawa¹、Nobuo Nakajima²、Andris Anspoks³、Takafumi Miyanaga⁴ (1.KEK、2.Hiroshima Univ.、3.Latvia Univ.、4.Hirosaki Univ.)

09:15 〜 09:30

[26a-E307-2] FLA処理による強誘電性Hf_xZr_1-xO₂薄膜の形成
―膜厚依存性―

〇太田裕登¹、和泉賢人¹、河原崎光²、谷村英昭²、加藤慎一²、奈良安雄¹ (1.兵県大工、2.SCREENセミコン)

09:30 〜 09:45

[26a-E307-3] III-V族窒化物圧電薄膜へのYb添加効果

〇賈軍軍¹、岩田直也²、柳谷隆彦² (1.早大国際理工、2.早大先進理工)

09:45 〜 10:00

△ [26a-E307-4] マイクロオーダーの粒サイズをもつBaTiO3多面体粒子の構造相転

〇福島凪世¹、山内礼士¹、Kim Sangwook¹、森吉千佳子¹、黒岩芳弘¹、藤井一郎²、上野慎太郎²、和田智志² (1.広島大、2.山梨大)

10:15 〜 10:30

[26a-E307-5] 溶液法IGZO-TFTのオゾンガス検出感度に焼成温度が与える影響

〇笹島宏青¹、森本貴明¹、石井啓介¹ (1.防衛大)

10:30 〜 10:45

[26a-E307-6] MF法による高緻密BaTiO₃膜作製に向けた粒子形状の最適化

〇松永航輝¹、鈴木宗泰²、銘苅春隆²、早瀬仁則¹ (1.理科大機械工、2.産総研HARC)

10:45 〜 11:00

[26a-E307-7] (K,Na)NbO₃単結晶の高速固相成長時のCu偏析の影響

〇森本貴明¹、笹島宏青¹、石井啓介¹ (1.防衛大学校)

11:00 〜 11:15

[26a-E307-8] 強誘電体Bi_4-xLn_xTi₃O₁₂セラミックスの電気特性と電気機械特性

〇真岩宏司¹ (1.湘南工大工)

11:15 〜 11:30

▲ [26a-E307-9] Detection of the pulse rate from fingertip using open-source Arduino software and piezo disc sensor

〇(M2)Khin Phyu Phyu Sin^1,2、Thi Thi Lay²、May Phyo Paing^1,2 (1.Yangon Univ、2.Josai Univ)

セッション情報

[26a-E307-1~9] 9.1 誘電材料・誘電体

▲ [26a-E307-1] Basic Mechanism and Potential Application of Ferroelectric Quantum Phase Transition: The Representative Case of SrTiO₃

[26a-E307-2] FLA処理による強誘電性Hf_xZr_1-xO₂薄膜の形成
―膜厚依存性―

[26a-E307-3] III-V族窒化物圧電薄膜へのYb添加効果

△ [26a-E307-4] マイクロオーダーの粒サイズをもつBaTiO3多面体粒子の構造相転

[26a-E307-5] 溶液法IGZO-TFTのオゾンガス検出感度に焼成温度が与える影響

[26a-E307-6] MF法による高緻密BaTiO₃膜作製に向けた粒子形状の最適化

[26a-E307-7] (K,Na)NbO₃単結晶の高速固相成長時のCu偏析の影響

[26a-E307-8] 強誘電体Bi_4-xLn_xTi₃O₁₂セラミックスの電気特性と電気機械特性

▲ [26a-E307-9] Detection of the pulse rate from fingertip using open-source Arduino software and piezo disc sensor

認証

セッション情報

[26a-E307-1~9] 9.1 誘電材料・誘電体

▲ [26a-E307-1] Basic Mechanism and Potential Application of Ferroelectric Quantum Phase Transition: The Representative Case of SrTiO3

[26a-E307-2] FLA処理による強誘電性HfxZr1-xO2薄膜の形成 ―膜厚依存性―

[26a-E307-3] III-V族窒化物圧電薄膜へのYb添加効果

△ [26a-E307-4] マイクロオーダーの粒サイズをもつBaTiO3多面体粒子の構造相転

[26a-E307-5] 溶液法IGZO-TFTのオゾンガス検出感度に焼成温度が与える影響

[26a-E307-6] MF法による高緻密BaTiO3膜作製に向けた粒子形状の最適化

[26a-E307-7] (K,Na)NbO3単結晶の高速固相成長時のCu偏析の影響

[26a-E307-8] 強誘電体Bi4-xLnxTi3O12セラミックスの電気特性と電気機械特性

▲ [26a-E307-9] Detection of the pulse rate from fingertip using open-source Arduino software and piezo disc sensor

認証

▲ [26a-E307-1] Basic Mechanism and Potential Application of Ferroelectric Quantum Phase Transition: The Representative Case of SrTiO₃

[26a-E307-2] FLA処理による強誘電性Hf_xZr_1-xO₂薄膜の形成
―膜厚依存性―

[26a-E307-6] MF法による高緻密BaTiO₃膜作製に向けた粒子形状の最適化

[26a-E307-7] (K,Na)NbO₃単結晶の高速固相成長時のCu偏析の影響

[26a-E307-8] 強誘電体Bi_4-xLn_xTi₃O₁₂セラミックスの電気特性と電気機械特性