[22a-E102-1~8] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

[22a-E102-3] イオン移動制御に基づくTaO_xへのアナログ的/確率論的抵抗変化機能の選択的誘起と抵抗変化過程の直接観察

〇福地 厚¹、片瀬 貴義²、太田 裕道³、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報、2.東工大フロ研、3.北大電子研)

キーワード：アナログメモリ、確率的演算、アモルファスTaOx

本研究では導電性原子間力顕微鏡法による原子平坦アモルファスTaO_x薄膜の表面観察を通じて、TaO_xではイオン移動方向の制御によってアナログ型と確率型の抵抗変化動作を明瞭に切り替え可能である事を明らかにした。確率的な抵抗変化現象の発生に伴いTaO_x膜内には、TaO₂組成を持つ析出物が発生する事が観測されており、TaO_xの確率的抵抗変化機能には準安定TaO₂相の析出が重要な役割を持つ事が示唆された。