[22a-E203-1~11] 17.3 層状物質

[22a-E203-8] 光電流測定によるバルクPdSe₂のバンドギャップ値評価と光応答機構の考察

〇西山 航¹、西村 知紀¹、西岡 政雄¹、上野 啓司²、岩本 敏¹、長汐 晃輔¹ (1.東大、2.埼玉大)

キーワード：PdSe2、貴金属ダイカルコゲナイド

狭ギャップ半導体とされてきたバルクPdSe₂において，桁の異なる複数のバンドギャップ値が報告されている．我々がこれまでに電気伝導特性から得たバンドギャップ値を，FTIRを用いた光電流スペクトル計測から追評価し，さらに光電流マッピングと高速電流計測から光応答機構の考察を行った．