[22a-E204-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [22a-E204-3] エピタキシャル歪みによるSrVO₃薄膜のバンド幅制御と有効質量の発散

〇(B)小川 茉白¹、相馬 拓人¹、大友 明^1,2 (1.東工大物質理工、2.元素戦略)

キーワード：エピタキシャル歪み、SrVO3、強相関電子系

SrVO₃は3d電子系の強相関遷移金属酸化物であり、バンド幅制御によって金属からMott絶縁体へと転移する。バンド幅制御による電子相関への影響については未だ議論があり、Mott転移を示唆する有効質量の発散は観測されていない。そこで、本研究では様々な基板上にSrVO₃薄膜を製膜し、エピタキシャル歪みによってSrVO₃薄膜がMott転移に近づき、有効質量が増加したことを報告する。