[22a-E302-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22a-E302-9] N極性GaN HEMTのTMAHによる素子分離

〇新井 貴大¹、青田 智也¹、眞壁 勇夫²、中田 健²、後藤 高寛¹、宮本 恭幸¹ (1.東工大工、2.住友電気工業)

キーワード：GaN HEMT

N極性GaN HEMTの素子分離において、TMAHを用いたウェットエッチングはドライエッチングやイオン注入に比べプロセスが簡略であり、プロセスダメージの抑制も期待される。本研究では、TMAHによる素子分離を検討し、N極性GaN HEMTデバイスを作成した。TMAH処理することで、素子分離箇所では10¹¹ Ωを超える十分な抵抗値が得られた。作製したN極性GaN HEMTではI_{D max} = 1.03 A/mm, R_on = 3.5 Ωmm が得られた。よってTMAHはN極性 GaN HEMTの素子分離技術として有用である。