[22a-E303-1~9] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[22a-E303-2] Hot-wire CVD法を用いたSiNリング共振器によるパラメトリック発振の観測

〇曽田 昇汰^1,3、半田 浩一郎^1,3、田邉 孝純¹、鵜澤 佳徳²、古澤 健太郎³、関根 徳彦³ (1.慶大理工、2.国立天文台、3.情通機構)

キーワード：微小光共振器、マイクロコム、窒化シリコン

Hot-wire CVD法を用いて堆積させた厚膜(>700 nm)の窒化シリコンを材料としたマイクロリング共振器にアニールを施すことで，5×10⁵を超える内在的Q値とパラメトリック発振を観測したので報告する．