[22p-D316-1~16] 13.8 光物性・発光デバイス

[22p-D316-14] InGaAs/GaAsP超格子構造において障壁層のP組成変化がもたらす歪み補償と間接遷移バンドのキャリア輸送特性への影響

〇碇 哲雄¹、古川 諒¹、山本 尚輝¹、杉山 正和²、福山 敦彦¹ (1.宮崎大工、2.東大先端研)

キーワード：量子構造太陽電池、非発光電子遷移

InGaAs/GaAsP超格子の高効率を実現させるためには高In組成の井戸層および高P組成の障壁層を用いる必要があるが導入される歪みの最適化が課題であった。しかし、歪みに由来するキャリアの非発光再結合とGaAsP障壁層への脱出過程との関連性が明確にされていなかった。そこで、障壁層の高さを変化させ、同時に変化する歪み緩和メカニズムとのバランスについてPPT法によって非発光遷移の観点から議論した。