[22p-D316-1~16] 13.8 光物性・発光デバイス

[22p-D316-8] [第51回講演奨励賞受賞記念講演] Tb添加Al_xGa_1-xNを活性層に用いた超波長安定発光ダイオードの作製

〇駒井 亮太¹、市川 修平^1,2、半澤 弘昌³、舘林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.阪大院基礎工)

キーワード：希土類、半導体、エレクトロルミネッセンス

現在、緑色発光ダイオード(LED)の主流は、In_xGa_1-xN系半導体のバンド間遷移を利用したものである。しかしながら、In_xGa_1-xN系LEDは、注入電流量や動作時の温度変化によって発光波長が変化する課題を有する。一方、Tb添加を施した窒化物半導体の発光は、Tb³⁺の4f殻内遷移に起因するため、狭い発光線幅と極めて安定な発光波長を実現できる。本研究ではAl_xGa_1-xN:Tb 層を活性層としたLEDを作製し、室温でTb³⁺の4f殻内遷移に起因する発光を観測したので報告する。