[22p-E302-1~15] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[22p-E302-4] 1200 V耐圧β型酸化ガリウムヘテロJBSダイオード

〇高塚 章夫¹、宮本 広信¹、佐々木 公平¹、倉又 朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：半導体、酸化ガリウム、ショットキーバリアーダイオード

界面にヘテロpn接合を設けたβ型酸化ガリウムヘテロ接合ジャンクションバリアーショットキー(JBS)ダイオードを試作した。
作製は、微細トレンチ構造を酸化ガリウムエピウエハー上に形成し、その内部のみp型材料のCu₂Oを形成した。更に、表面にPtショットキー電極、裏面はTiによりオーミック電極を形成した。
電気測定にて、初めて1200 V以上の逆方向耐圧を1×10^-3 A/cm^-3以下の低リーク電流で確認した。