[22p-E302-1~15] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[22p-E302-6] 2 A, 1.2 kV耐圧β-Ga₂O₃ FP(field-plated) MOSSBD

〇大塚 文雄¹、宮本 広信¹、高塚 章夫¹、九里 伸治¹、佐々木 公平¹、倉又 朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：ショットキーバリアダイオード、トレンチMOS、オン/オフ比

ベータ酸化ガリウム（β-Ga₂O₃）は、その優れた材料物性や基板の量産性の高さから、次世代の高耐圧低損失パワーデバイス用半導体材料として注目を集めている。デバイス構造の候補の中でMOS型ショットキーバリアダイオード(MOSSBD)は1.2 kV以上の耐圧と低いリーク電流、および20 mΩ^.cm²以下の特性オン抵抗を示すことが報告されており、次世代の高耐圧・低損失デバイス構造として有望視されている。今回はその実用化を狙い、実回路評価が可能な大面積（1.7 mm□）のMOSSBDを試作したので、そのデバイス特性を報告する。