[22p-F307-1~11] 2.2 放射線物理一般・放射線応用・発生装置・新技術

[22p-F307-1] Siの放射線影響評価に向けた電子線飛跡構造解析計算コードの開発

〇(PC)平田 悠歩¹、甲斐 健師¹、小川 達彦¹、松谷 悠佑¹、佐藤 達彦¹ (1.原子力機構)

キーワード：飛跡構造解析計算、モンテカルロ計算、Si検出器

Si半導体検出器は重荷電粒子に対するパルス波高欠損は検出効率を低下させる問題を生じる。また、ソフトエラーは放射線とメモリ内部のSiの相互作用により発生する電荷が主要因と考えられている。これらの現象の発生メカニズムを解明するためSiの電子線飛跡構造解析コードを開発し、粒子・重イオン輸送計算コードPHITSに組み込みんだ。開発した技術を活用し、水及びSi中で異なる中での電子線の飛跡を詳細に再現計算することに成功した。