[22p-F408-1~14] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[22p-F408-2] 原子状水素処理による液相結晶化シリコン膜の低欠陥化

〇柳 雄大¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：太陽電池

溶融結晶化Siの膜質向上のためにCat-CVD装置による水素処理での欠陥終端を行った。水素処理時の基板温度300 ℃から400 ℃、処理時間30 minから40 min付近で少数キャリア寿命の向上が顕著に観測された。この温度帯と処理時間付近で膜深部への水素拡散が十分に促進され、かつ、水素脱離も起きにくいためと考えられる。