[22p-P03-1~23] 17 Nanocarbon Technology(Poster)

[22p-P03-11] Direct growth of graphene on c-plane and r-plane sapphire substrates using atmospheric-pressure CVD

〇(M1)Yoshikazu Kawai¹, Seiya Huke¹, Yoshiki Harada¹, Takuto Nakao¹, Hiroki Hibino¹ (1.Kwansei Gakuin Univ.)

Keywords:graphene

グラフェンは優れた物性により次世代電子デバイス材料として注目を集めている。金属触媒を用いたグラフェンの化学気相成長（CVD）は産業的なグラフェン製造法として有望である。しかし、金属上のグラフェンをデバイスに加工するためには転写が不可欠であり、その際に導入される汚染や欠陥が物性を低下させる課題がある。そこで、転写プロセスが不要な絶縁基板上へのグラフェンの直接成長技術が求められている。本発表では、高温常圧（AP）CVD法を用いてc面およびr面サファイアへグラフェンを直接成長し、特性を比較したので報告する。