[22p-P06-1~23] 17 ナノカーボン(ポスター)

[22p-P06-14] プラズマ照射によるMoSe₂ FET特性への影響

〇志田 知洋¹、上野 啓司¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、電界効果トランジスタ、相転移

6族の層状遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)である二セレン化モリブデン(MoSe₂)は、安定な半導体相と準安定な半金属相を有し、プラズマの照射によって半導体相から半金属相へ相転移する。本研究では、アルカリ金属塩をアシスト剤として成長させたMoSe₂薄膜を用いて電界効果トランジスタ(FET)を作製し、H₂/Ar混合ガスプラズマを照射することで、FET特性の影響を評価した。