[23a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[23a-E202-10] 【注目講演】ピクセル化技術を用いたInGaN系RGBマイクロLEDアレイの作製

〇飯田 大輔¹、庄 喆¹、キリレンコ パベル¹、ベラスケスリゾ マーティン¹、大川 和宏¹ (1.KAUST（カウスト）)

キーワード：マイクロLED、InGaN、MOVPE

我々はLEDのピクセル化の手法として選択的なp-GaN層の不活性化に着目し、RGBのInGaN系micro-LEDを試作したので報告する。115 A/cm²の電流密度下において、赤色micro-LEDアレイの発光特性は発光ピーク波長が632 nm、オンウエハ測定での光出力が936 mW/cm²であった。従来報告されている値と比べて大幅な向上が確認できた。