[23a-E204-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[23a-E204-8] ミストCVDによるFe₃O₄エピタキシャル薄膜作製とその成長メカニズム

〇菅 大介¹、白木 宏²、蓬莱 慎司¹、島川 祐一¹ (1.京大化研、2.村田製作所)

キーワード：エピタキシャル薄膜成長、ミストCVD、マグネタイト

ミストCVD法を利用した薄膜作製チャンバーを構築し、マグネタイトFe₃O₄エピタキシャル薄膜の低温成長およびその成長メカニズムを検討した。