2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[23a-E204-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2022年3月23日(水) 09:00 〜 12:00 E204 (E204)

吉松 公平(東北大)、小塚 裕介(物材機構)

11:30 〜 11:45

[23a-E204-9] CVD 成長大面積 hBN シートへの遷移金属酸化物薄膜結晶の成長

〇玄地 真悟1、深町 悟2、大坂 藍1、服部 梓1、吾郷 浩樹2、田中 秀和1 (1.阪大産研、2.九大GIC)

キーワード:金属-絶縁体相転移、六方晶窒化ホウ素、薄膜成長

本研究ではフレキシブルデバイス応用を視野に入れ、化学気相成長(CVD)法で成長させたhBNシート上に遷移金属酸化物薄膜を成長させた結果を報告する。パルスレーザー堆積法で作製したCVD-hBNシート上Fe3O4薄膜は任意の測定点で明瞭なラマンピークを示した。当日はX線回折測定による薄膜の構造解析結果およびシート転写による電気伝導特性評価についても報告する。