[23a-E307-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[23a-E307-9] Si-pn接合中のSiGe量子井戸の共鳴準位による
トンネル電流の増大

〇趙 祥勲¹、加藤 公彦²、飯塚 将太²、森 貴洋²、中山 隆史¹ (1.千葉大理、2.産総研)

キーワード：トンネル、TFET、共鳴