[23p-D113-1~19] 1.6 超音波

△ [23p-D113-19] c軸ジグザグ配向ScAlN薄膜/Si基板構造におけるSAW伝搬特性解析

〇冨永 卓海¹、高柳 真司¹、柳谷 隆彦² (1.同志社大、2.早稲田大)

キーワード：SAW、ScAlN薄膜、シリコン

移動通信システムの急速な発展に伴い、SAWデバイスの高性能化が求められている。我々は、結晶c軸を傾斜させたScAlN薄膜と廉価なSi基板を組み合わせた構造において、電気機械結合係数K²が増大することを報告した。本報告では、SAWデバイスの更なる高結合化に向けて、c軸ジグザグScAlN薄膜/Si基板構造におけるSAWの伝搬特性解析を行った。その結果、レイリー波において最大で9.56%のK²値を示し、高結合化に有利なデバイス構造であると判った。