[23p-E202-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

[23p-E202-12] 単結晶窒化ガリウム基板を用いた光電極表面におけるキャリア移動機構の解明

〇山口 信義¹、落合 貴也²、嶺岸 耕¹、杉山 正和^1,2 (1.東大先端研、2.東大工)

キーワード：窒化ガリウム、光電極

窒化ガリウム（GaN）は光触媒候補材料の１つであり、白金（Pt）などの助触媒により水素発生反応が促進されると知られている。しかし、GaNとPtの界面はショットキー接合であることから、キャリア移動機構の解明が試みられてきた。従来ではエピタキシャル成長による結晶品質の低い薄膜GaNが用いられていたが、本研究では超臨界液相法による単結晶GaN基板を光電極として用い、欠陥由来の準位によるキャリア移動への影響を評価した。