[23p-E202-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [23p-E202-2] 誘電体薄膜を用いた局在型表面プラズモン共鳴の緑色波長領域での調整と窒化物半導体における高効率発光

〇亀井 勇希¹、垣内 晴也¹、松山 哲也¹、和田 健司¹、船戸 充²、川上 養一²、岡本 晃一¹ (1.阪府大工、2.京大院工)

キーワード：窒化物半導体、プラズモニクス、InGaN

窒化物半導体LED、特にInGaN/GaNの発光効率は緑色波長領域で著しく下がり、これはグリーンギャップと呼ばれている。プラズモニクスを用いると輻射再結合効率が高まるため、グリーンギャップの解消が期待できる。本研究では誘電体薄膜を局在型プラズモンと組み合わせることでプラズモン共鳴波長をコントロールし、緑色波長領域で強いプラズモン共鳴を起こすことに成功した。さらにFDTD法を用いて緑色波長領域内での強い発光増強効果が実現できることを示した。