[23p-E202-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

[23p-E202-4] 光音響・発光同時計測と時間分解発光測定によるInGaN量子井戸における輻射・非輻射再結合寿命の分離評価

森 恵人¹、森本 悠也¹、袴田 舜也¹、〇山口 敦史¹、草薙 進²、蟹谷 裕也²、工藤 喜弘²、冨谷 茂隆² (1.金沢工大工、2.ソニーグループ)

キーワード：内部量子効率、InGaN量子井戸、輻射再結合

InGaN量子井戸(QW)のキャリアダイナミクスは完全には解明されていない．我々は，その理解の為には，内部量子効率(IQE)の正確な評価が必要であると考えている．我々は，従来手法よりも正確に窒化物半導体のIQEを推定する方法として，光音響(PA)・発光(PL)同時計測法を提案しており，GaN膜とInGaN-QW試料のIQEを測定し，さらに，時間分解PL測定と組み合わせてGaN膜におけるキャリアダイナミクスの議論も展開している．本研究では，In組成の異なるInGaN-QW試料シリーズに対して，IQE測定[5]と時間分解PL測定を組み合わせて，輻射・非輻射寿命(tauR, tauNR)の分離評価を行った.