[23p-E202-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

[23p-E202-9] 非輻射再結合から見たギャップ内発光に関する考察

〇角谷 正友¹、森本 悠也²、山口 敦史²、矢代 秀平³、本田 徹³ (1.物材機構、2.金沢工大、3.工学院大)

キーワード：GaNギャップ内欠陥準位、非輻射再結合、ギャップ内発光

我々は非輻射再結合の際に発生する熱を屈折率変化（光熱偏向分光法 (PDS））や音（光音響分光法（PAS））で検出することによってIII-V族窒化物半導体のギャップ内欠陥準位や発光内部量子効率の検討を行ってきた。今回、PDSによるギャップ内準位の相対強度の観点からGaN薄膜からの室温でのギャップ内準位に関連する発光について検討を行った。