[23p-E204-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[23p-E204-3] EuNiO₃薄膜の作成とその水素誘起高抵抗化特性評価

〇谷口 勇貴¹、Musa Alaydrus²、濱田 幾太郎²、服部 梓¹、李 好博¹、田中 秀和² (1.阪大産研、2.阪大院工)

キーワード：イオントロニクス、金属絶縁体転移、第一原理計算