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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[23p-E204-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2022年3月23日(水) 13:30 〜 17:00 E204 (E204)

近松彰(お茶の水女子大)、大口裕之(芝浦工大)

14:30 〜 14:45

[23p-E204-5] Nanogap-IL-FETを用いたH_xWO_3-δ膜の導電性制御

〇(B)森本大智¹、伊勢柾希¹、木下健太郎¹ (1.東理大理)

キーワード：FET、金属酸化物