[23p-E205-1~18] 10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス

△ [23p-E205-12] Geベースオールエピタキシャル単結晶横型短チャネルスピンバルブ素子における大きな磁気抵抗効果の観測

〇鶴岡 駿¹、但野 由梨子¹、Le Duc Ahn¹、田中 雅明^1,2、大矢 忍^1,2 (1.東大院工、2.東大院工CSRN)

キーワード：スピントロニクス、スピンバルブ

本研究では、スピンMOSFETの実現に向けて、磁気抵抗比(MR比)を向上させることを目的として、Co/Fe/MgO/Ge:B/Ge(001) 基板からなるオールエピタキシャルヘテロ構造に対してチャネル長68 nmのスピンバルブ素子構造を作製した。3 Kにおいて、最大0.55 %のMR比が得られた。これは拡散伝導を仮定した理論から予測される値のおよそ1000倍の値となっており、チャネル長を68 nmにまで微細化することにより、MR比を大幅に向上させることができることが明らかになった。