[23p-E307-1~20] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[23p-E307-12] シリコンナノワイヤトランジスタ特性の室温および低温におけるナノワイヤ幅依存性

〇(M2)山中 勇人¹、水谷 朋子¹、更屋 拓哉¹、小林 正治¹、平本 俊郎¹ (1.東大生研)

キーワード：半導体、シリコンナノワイヤトランジスタ