[23p-E307-1~20] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[23p-E307-18] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (1) -両性準位のDOS-

〇土屋 敏章¹、堀 匡寛¹、小野 行徳¹ (1.静大電研)

キーワード：MOS界面、両性欠陥、電子捕獲素過程

これまでに，MOS界面欠陥評価法としてのチャージポンピング法をより体系化し，真に単一の界面欠陥の測定・評価を可能にして様々な事実を明らかにしてきた．今回，単一欠陥における両性準位のエネルギー位置関係の考察から得られた幾つかの知見を示し，単一欠陥を用いた両性準位の評価が有用であり，各準位における電子捕獲放出の素過程やAcceptorlike準位の形成過程などを直接観測できる可能性があることを示す．