[23p-E307-1~20] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[23p-E307-20] Direct observation of electron capture processes in amphoteric defect states achieved by charge pumping in individual defects at MOS interface (3) -Donorlike states-

〇Toshiaki Tsuchiya¹, Masahiro Hori¹, Yukinori Ono¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:MOS interface, amphoteric defects, electron capture processes

前講演に続いて本講演ではもう一つの単純で基本的な素過程と考えられる，Donorlike準位における伝導帯電子の捕獲過程を取り上げる．この目的に適した単一欠陥の選択法や評価法は講演で述べるが，5つの試料の測定から得た捕獲時定数は3〜20 nsであった．前講演のAcceptorlike準位への伝導帯電子捕獲時定数（56±4 ns）に比べて小さく，かつ，幅のある値を示す物理的理由についても考察する．