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[23p-E307-3] [第13回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] 界面準位を考慮したSiC MOS反転層におけるHall移動度の理論解析
キーワード：炭化ケイ素、移動度、界面準位
炭化ケイ素（SiC） MOSFET は高耐圧パワーデバイスとして実用化が進んでいるが，その反転層移動度を記述する理論モデルは確立されていない．本研究では，SiC MOS界面に存在する高密度の界面準位を考慮して，SiC MOS反転層における電子散乱過程の定式化を行った．このモデルに基づき，モンテカルロシミュレーションによるHall移動度の計算を行い，実験結果と比較しつつその振る舞いを解析した．