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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23p-F308-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2022年3月23日(水) 13:15 〜 17:00 F308 (F308)

立岡浩一(静大)、山口憲司(量研機構)

16:15 〜 16:30

[23p-F308-12] 熱拡散でMg₂Si基板に作製したpn接合ダイオードの少数キャリア拡散寿命と暗電流の評価(II)

水沼直樹¹、〇鵜殿治彦¹ (1.茨城大院)

キーワード：Mg2Si、pn接合フォトダイオード、暗電流