[23p-P07-1~7] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[23p-P07-3] GaInSb HEMT構造の電気的特性への熱処理の影響

〇吉田 陸人¹、國澤 宗真¹、羽鳥 小春¹、海老原 怜央¹、渡邊 一世^2,1、町田 龍人²、山下 良美²、原 紳介²、笠松 章史²、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大先進工、2.情報通信研究機構)

キーワード：高電子移動度トランジスタ

本研究では、GaInSbチャネルHEMT作製プロセス時の熱処理によるエピ結晶への影響を明らかにする目的で、AlInSb/GaInSb 量子井戸構造（HEMT構造）の電気的特性への熱処理の影響を調べた。