[24a-E106-1~11] 3.7 レーザープロセシング

[24a-E106-8] SiCセラミックスにおけるレーザーアブレーション率のフルーエンス依存性

〇宮坂 泰弘¹、近藤 康太郎¹、桐山 博光¹ (1.量研関西研)

キーワード：SiCセラミックス、レーザーアブレーション、サブナノ秒レーザー

我々はSiCセラミックスの高い熱伝導率に着目して、熱負荷に強い光学素子基板としての研究を進めている。一方で、高い機械的強度から難加工材として知られている。本研究ではレーザーによる基板内部流路の加工を検討するために、波長1064 nm、パルス幅360 psのレーザーを、鏡面研磨を施したSiCセラミックスに集光照射した。照射痕の深さを共焦点レーザー顕微鏡により測定することで、アブレーション率のフルーエンス依存性を明らかにした。