[24a-E106-1~11] 3.7 Laser processing

[24a-E106-8] Dependence of ablation rate on laser fluence for SiC ceramic

〇Yasuhiro Miyasaka¹, Kotaro Kondo¹, Hiromitsu Kiriyama¹ (1.QST)

Keywords:SiC ceramic, Laser ablation, Sub-nanosecond laser

我々はSiCセラミックスの高い熱伝導率に着目して、熱負荷に強い光学素子基板としての研究を進めている。一方で、高い機械的強度から難加工材として知られている。本研究ではレーザーによる基板内部流路の加工を検討するために、波長1064 nm、パルス幅360 psのレーザーを、鏡面研磨を施したSiCセラミックスに集光照射した。照射痕の深さを共焦点レーザー顕微鏡により測定することで、アブレーション率のフルーエンス依存性を明らかにした。