[24a-E301-1~10] 3.11 フォトニック構造・現象

[24a-E301-9] 高Q値光ナノ共振器結合系の電気的制御の高度化に向けた作製プロセス検討(2)

〇井上 和輝¹、宋 奉植^1,2、浅野 卓¹、野田 進¹ (1.京大院工、2.成均館大)

キーワード：フォトニック結晶、共振器、電気制御

高Q値共振器の結合系に結合状態の制御を可能にする面内p-i-n構造を導入すれば，共振器間の光転送が実現できるが共振器のQ値は大きく低下する課題があった．前回の講演ではイオン注入時の表面保護マスクを改良したことで，全面マスク越しのイオン打ち込み後の試料で高いQ値が得られたことを報告した．今回，波長制御のためのイオン注入領域を改良したマスクに設けて，注入領域近傍に共振器を作製・評価したので報告する．