[24a-E302-1~13] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [24a-E302-5] 超高圧アニールを施したAlSiO/n-GaN MOS構造の特性評価

〇常角 智也¹、兼近 将一²、加地 徹²、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：GaN、MOS

n-GaN上にALD法でAlSiOを堆積させたMOS構造の膜中欠陥を低温で除去しうるPDA手法として、超高圧アニール(UHPA)処理の検討を行った。試料のアニール条件は950°C, 常圧と300°C, 300 MPaの物を用意した。 C-V測定の結果、1~100 kHzの範囲で周波数分散は見られず、ヒステリシスは小さかった。SIMSによるGa濃度分布を行ったところ、常圧では高温アニールの影響で10²⁰ cm^-3程度のGa分布が確認されるが、UHPAでは検出限界である10¹⁶ cm^-3程度に抑えられていた。