[24p-E103-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[24p-E103-17] ガラス基板上の n-ch および p-ch 自己整合ダブルゲート Cu-MIC poly-Ge TFT

〇鈴木 翔¹、冨塚 啓吾¹、原 明人¹ (1.東北学院大工)

キーワード：半導体、ゲルマニウム、薄膜トランジスタ