[24p-E201-1~9] オンライン時代の機能性マテリアル　~beyond5G/6Gに向けて~

[24p-E201-3] 高周波デバイス高性能化に向けたGaN結晶育成技術

〇森 勇介¹、今西 正幸¹、宇佐美 茂佳¹、吉村 政志¹、守山 実希² (1.阪大工、2.豊田合成)

キーワード：窒化ガリウム、結晶成長

GaN高周波デバイスでは、GaNエピタキシャル層中の転位や欠陥による電子トラップが原因で変換効率が低下する電流コラプスが課題となる。その解決にはGaNエピタキシャル層の高品質化が不可欠となり、高品質GaNウエハを用いた高周波デバイスが有効となる。大阪大学ではGaNウエハ中の転位密度の低減と大口径化を両立できる結晶育成技術の研究開発を1997年から展開してきた。本講演では、最近の成果に関して報告する。