[24p-E204-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

[24p-E204-6] 高効率多接合型太陽電池に向けてアモルファス構造を制御したSi添加アモルファスカーボン(a-SixC_1-x)半導体薄膜の開発と合成手法の確立

〇(M2)近藤 文太¹、本多 謙介¹ (1.山口大院 創成科学)

キーワード：アモルファスカーボン、半導体、pn接合

Si添加アモルファスカーボン(a-Si_xC_1-x)半導体を用いた多接合型太陽電池の実現に向けて，本研究では、太陽電池に最適なa-Si_xC_1-x構造の形成とその手法の確立を目指した．カソードカップリングを用いたプラズマ化学気相成長(PECVD)により，1.70eV以下に光学ギャップを制御した均質なアモルファス構造のa-Si_xC_1-xを実現した。この結果，n型a-Si_xC_1-x/p-Siヘテロ接合太陽電池単セルの高効率化を達成した．