講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[24p-E204-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

2022年3月24日(木) 13:30 〜 16:15 E204 (E204)

赤坂大樹(東工大)、斎藤秀俊(長岡技大)

15:15 〜 15:30

△ [24p-E204-7] 窒化反応性RF-UBMSを用いたSiCN膜の形成

〇坂東隆宏¹、坂井駿斗¹、針谷達¹、滝川浩史¹ (1.豊橋技術科学大学)

キーワード：アンバランスドマグネトロンスパッタリング、SiCN