[24p-E302-1~16] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[24p-E302-2] GaN/ダイヤモンド接合界面の特性評価

〇梁 剣波¹、清水 康雄²、大野 裕²、永井 康介²、重川 直輝¹ (1.大阪市大院工、2.東北大金研)

キーワード：GaN/ダイヤモンド接合、ヒートスプレッダー、界面構造

GaN系半導体を利用する次世代高出力・高周波素子の実用化を目指した研究開発が進んでいる。一方、高出力動作時の自己発熱によって局所的に高温化することで、出力と信頼性が大きく低下する課題がある。素子の放熱性を向上するために、最高熱伝導率を有するダイヤモンドによる「GaN-on-diamond」構造の研究開発が行われている[1]。我々はこれまでに、表面活性化接合(SAB)法を用いて常温でGaNとダイヤモンドの直接接合を実現し、高機能性接合界面を得ている[2-4]。今回、接合界面のナノ構造と熱特性を評価した結果について報告する。