[24p-E302-1~16] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [24p-E302-6] NO窒化SiC MOSデバイスへのエキシマ紫外光照射の影響

〇(M1)藤本 博貴¹、小林 拓真¹、染谷 満²、岡本 光央²、細井 卓治¹、志村 孝功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.産総研)

キーワード：金属-酸化膜-半導体 デバイス、炭化ケイ素

エキシマ紫外光照射前後における、SiC MOSキャパシタの電気特性の変動を調べた。結果、熱酸化試料（1300℃酸化）と超高温酸化試料（1600℃酸化, Ar 0.3%希釈）では、C-V特性の変化が軽微である一方で、NO窒化を施した試料では、熱酸化試料よりも大きな特性劣化 (C-Vヒステリシスとフラットバンド電圧の増大) が生じた。以上より、NO窒化界面は初期界面特性は良好だが、紫外光照射で活性化する欠陥を含むことが示された。