[24p-F408-1~11] 9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート

[24p-F408-5] Si量子ドット多重集積構造からの電界電子放出―ドットサイズ依存性

〇(M1)尾林 秀治¹、牧原 克典¹、田岡 紀之¹、大田 晃生¹、宮﨑 誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：半導体、量子ドット

SiH₄-LPCVDの精密制御により異なるサイズのSi量子ドットを形成し、ドットサイズがSi量子ドット多重集積構造からの電界電子放出特性に及ぼす影響を評価した。