[24p-P04-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[24p-P04-2] UHVスパッタエピタキシー法によるGaN層の成長メカニズム (Ⅱ)

〇齋藤 元希¹、吉田 圭佑¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：スパッタエピタキシー、窒化ガリウム

我々は，超高真空(UHV)高周波マグネトロンスパッタリング法を用いてGaN系半導体のエピタキシャル成長を行っている．前回，N₂/Ar反応ガスの混合比を変化させてα-Al₂O₃基板上に直接成長したGaN層の結晶構造について検討を行った．その結果，低いN₂ガス混合比では立方晶系GaN層が優先的に成長する一方，N₂ガス混合比を増加させると立方晶系と六方晶系混在したり，六方晶系が優先的に成長したりすることが解った．
今回は，スパッタリング法によるGaN層の成長において，基板温度を変化させた際の結晶構造について検討を行ったので，その結果について報告する．