[24p-P04-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[24p-P04-5] RF-MBE法による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸成長と発光特性の評価

〇(M1)早崎 真洸¹、橋本 真里¹、山口 朋也¹、山口 智広¹、本田 徹¹、尾沼 猛儀¹ (1.工学院大)

キーワード：結晶成長、III-V族半導体、AlGaN