[25a-E202-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[25a-E202-1] Ga 添加酸化亜鉛薄膜特性へのガンマ線照射効果

〇山本 哲也^3,4、Catalin Martin¹、Valentin Craciun²、牧野 久雄⁴ (1.RCNJ、2.NILPRP、3.高知工科大総研、4.高知工科大院)

キーワード：酸化亜鉛、放射線効果、トータルドーズ効果

耐放射線材料は、新エネルギー源（核融合エネルギーなど）の施設部品（窓材など）に必要となる場合や人口衛生など宇宙機に用いられる場合など, 今後期待される材料である. 酸化亜鉛 (ZnO) などはその候補に挙げられている. 一方で非荷電放射線 g 線により生じるZnO 薄膜内結晶構造変化は点欠陥の特性を解明する上で重要な知見をもたらす. 本研究ではGa 添加 ZnO (GZO) 透明導電膜を対象に, 薄膜内でイオン化や２次電子を生成する作用が予想される g 線照射が及ぼす効果を, 電気・光学特性の両面から検討したその結果と考察とを報告する.