[25a-E203-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[25a-E203-6] 六方晶窒化ホウ素薄膜の減圧CVDにおける原料ガス導入タイミング

〇吉岡 陸¹、田中 佑樹¹、渡邊 泰良¹、増田 克仁¹、大石 泰己¹、増田 希良里¹、小南 裕子¹、原 和彦^2,3 (1.静岡大総合研、2.静岡大創科院、3.静岡電子研)

キーワード：六方晶窒化ホウ素、化学気相法、サファイア基板

六方晶窒化ホウ素( h-BN )は電子デバイスや深紫外光源への応用が期待されているⅢ-Ⅴ族材料である。本研究では減圧CVDにおいて、原料ガス( NH₃およびBCl₃ )を反応管に導入するタイミングが薄膜成長に与える影響を調査した。NH₃を先に反応管に導入すると基板表面が窒化され、h-BNの形成を阻害する可能性があることがわかった。また、BCl₃を先に導入すると薄膜の発光特性が低下することがわかった。