[25a-E204-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

[25a-E204-3] [第43回優秀論文賞受賞記念講演] 高濃度B⁺イオン注入したIIa型ダイヤモンドの電気特性と伝導機構-イオン注入時及びポストアニール時の温度による効果-

〇関 裕平¹、星野 靖¹、中田 穣治¹ (1.神奈川大理)

キーワード：イオン注入法、Hall効果、ダイヤモンド半導体