[25a-E305-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

△ [25a-E305-9] RFスパッタリングによる次世代RF filter向けLiNbO₃薄膜の作製

〇松岡 耕平¹、露木 達郎¹、小林 宏樹¹、上村 隆一郎¹ (1.株式会社アルバック)

キーワード：LiNbO3、FBAR、ScAlN

通信速度・通信帯域の向上(5G)により, 高周波数帯向けに電気機械結合(k²値)が高く, 広い周波数帯域をカバーできるFilterが求められている. FBARにおいて, その圧電層には通常AlNが使われているが, k²値向上のためScをドーピングしたAlN (Sc-AlN)の開発が盛んであり, 低ドープ品は既に量産化されている. Sc-AlNのk²値は最大20%程度が限界であるが, 単結晶Y-36°回転カットLiNbO₃のk²値は50％程度におよぶ. そこで, 高周波数帯域に対応する数百nm厚のLiNbO₃のスパッタリング成膜について報告する.