PDF ダウンロード スケジュール 21 いいね! 0 コメント (0) 17:00 〜 17:15 [25p-D114-16] 歪みSi/緩和 SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETの高正孔移動度化とリーク電流の低減 〇藤澤 泰輔1、各川 敦史1、堀内 未希1、坂田 千尋1、山中 淳二1、原 康祐1、澤野 憲太郎2、中川 清和2、有元 圭介1 (1.山梨大工、2.東京都市大総研) キーワード:歪みSi、p-MOSFET、電気伝導特性